[发明专利]一种围栅结构MOSFET源漏电流解析模型

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体为一种围栅结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）源漏电流解析模型。本发明针对围栅结构MOSFET的不同沟道长度，根据McKelvey的通量理论，得到这种器件的电流电压模型。只要调整其中的参数，即可得到沟道很短时（约30纳米）量子线晶体管的弹道输运模型结果，也可得到沟道较长时（约100纳米）的载流子扩散模型。该模型物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型围栅器件的电路模拟提供了一种有效的方法。

主权项

1.一种围栅结构MOSFET源漏电流解析模型，其特征在于非简并态的源漏电流模型的解析式为：其中，R是围栅MOSFET器件圆柱体硅的半径，为电子电量，r为电子在通过沟道时的反射系数，是漏极相对于源极电压，源端z=0处的反型电子浓度，是从源端发射的正向载流子通量，在处的逆向载流子流量，是漏端热发射的电子流量，，在小于0.1V，或者不加源漏偏压时，载流子运动的平均速度是热运动平均速度，其中是电子横向有效质量，，是电子静止质量，是代表玻尔兹曼常数，T为温度；其中，是单位面积的栅氧化层电容，，是表面势，根据下面公式得到 ：t_ox为栅极氧化层厚度；和为硅和栅极氧化物的介电常数；为栅极相对于源极的电压；是本征载流子浓度，为功函数差。