[发明专利]低介电常数材料有效
| 申请号： | 201110294605.2 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102437143A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 黄心岩;罗清郁;陈海清;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶-凝胶工艺形成包括添加剂的介电材料。所述添加剂的一个示例为双(三乙氧基硅基)乙烷。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 材料 | ||
【主权项】：
一种材料，包括：低介电常数材料；以及添加剂，其中所述添加剂包括具有Si‑X‑Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。
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