[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶显示装置无效
| 申请号： | 201110293403.6 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102315279A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈孝贤 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛;田夏 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶显示装置，一种薄膜晶体管，包括闸极和源极，所述闸极包括第一金属层区块和位于第一金属层区块上方的第二金属层区块，所述第二金属层区块的热膨胀系数小于所述第一金属层区块的热膨胀系数；所述第一金属层区块上表面和所述第二金属层区块下表面相接触，且所述第一金属层区块上表面和所述第二金属层区块下表面的宽度保持一致。本发明可以在抑制凸包(hillock)产生的同时，有效避免漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括闸极和源极，所述闸极包括第一金属层区块和位于第一金属层区块上方的第二金属层区块，其特征在于，所述第二金属层区块的热膨胀系数小于所述第一金属层区块的热膨胀系数；所述第一金属层区块上表面和所述第二金属层区块下表面相接触，且所述第一金属层区块上表面和所述第二金属层区块下表面的宽度保持一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110293403.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动小车控制系统
- 下一篇：一种隔板式热交换方法及隔板式热交换装置
- 同类专利
- 专利分类
