[发明专利]磁控溅射镀膜装置无效
| 申请号： | 201110291771.7 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103031527A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 黄登聪;彭立全 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及可拆卸地设置于反应室腔壁与转架之间的至少一靶材，该磁控溅射镀膜装置还包括与反应室连通的二气体气路，每一气体气路设置有出气孔，且其中一气体气路的出气孔靠近靶材设置，另一气体气路的出气孔设置于转架的周围。本发明磁控溅射镀膜装置能够有效避免靶材“中毒”。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及可拆卸地设置于反应室腔壁与转架之间的至少一靶材，其特征在于：该磁控溅射镀膜装置还包括与反应室连通的二气体气路，每一气体气路均设置有出气管，出气管上开设有出气孔，且其中一气体气路的出气孔靠近靶材设置，另一气体气路的出气孔靠近转架设置。
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