[发明专利]化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 201110288857.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102328272A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 路新春;王同庆;曲子濂;何永勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02;B24B49/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值；B)根据多个点的膜厚前值对晶圆进行化学机械抛光；和C)利用终点测量装置测量多个点的膜厚后值，并根据多个点的膜厚后值来判断晶圆的表面抛光厚度是否均匀，如果晶圆的表面抛光厚度不均匀，则根据多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对晶圆进行化学机械抛光直至晶圆的表面抛光厚度均匀。利用根据本发明实施例的化学机械抛光方法对晶圆进行化学机械抛光时无需再使用在线测量装置，从而不仅可以大大地简化进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的结构，降低化学机械抛光设备的成本，而且可以大大地降低晶圆的化学机械抛光成本。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值；B)根据所述多个点的膜厚前值对所述晶圆进行化学机械抛光；和C)利用所述终点测量装置测量所述多个点的膜厚后值，并根据所述多个点的膜厚后值来判断所述晶圆的表面抛光厚度是否均匀，如果所述晶圆的表面抛光厚度不均匀，则根据所述多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对所述晶圆进行化学机械抛光直至所述晶圆的表面抛光厚度均匀。
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