[发明专利]可变增益放大器有效
申请号: | 201110288636.7 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN102468812A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 安正旭;须田哲平;上田富雄 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03G3/20 | 分类号: | H03G3/20 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及可变增益放大器。一种可变增益放大器包括:源极接地晶体管,输入信号被提供到其栅极;多个第一共源共栅晶体管,其源极被连接到源极接地晶体管的漏极;第二共源共栅晶体管,其源极被连接到源极接地晶体管的漏极;第一栅极接地晶体管,其源极被连接到多个第一共源共栅晶体管的漏极,并且恒定电压被施加到其栅极;以及输出负载,其被连接到第一栅极接地晶体管的漏极,其中,多个第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管被置入传导状态或非传导状态,从而使得源极接地晶体管的漏极电流恒定,并且使得漏极电流中被提供给多个第一共源共栅晶体管的部分改变。 | ||
搜索关键词: | 可变 增益 放大器 | ||
【主权项】:
一种可变增益放大器,包括:源极接地晶体管,输入信号被提供到该源极接地晶体管的栅极;多个第一共源共栅晶体管,该多个第一共源共栅晶体管的源极被连接到所述源极接地晶体管的漏极;第二共源共栅晶体管,该第二共源共栅晶体管的源极被连接到所述源极接地晶体管的漏极;第一栅极接地晶体管,该第一栅极接地晶体管的源极被连接到所述多个第一共源共栅晶体管的漏极,并且恒定电压被施加到该第一栅极接地晶体管的栅极;以及输出负载,该输出负载被连接到所述第一栅极接地晶体管的漏极,其中所述多个第一共源共栅晶体管和所述第二共源共栅晶体管被置入传导状态或非传导状态,从而使得所述源极接地晶体管的漏极电流恒定,并且此外使得所述漏极电流中被提供给所述多个第一共源共栅晶体管的部分改变。
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