[发明专利]一种合成石墨烯薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110287621.9 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103011136A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备石墨烯薄膜的方法。采用能量粒子如激光束、电子束、射频束、射线、光子、中子束、离子束、等离子体等技术方法将含有碳元素的气态碳源、固态碳源、液态碳源或前述碳源中任意两种或两种以上混合碳源材料中的碳原子活性化而在衬底上生长石墨烯薄膜。本发明产生合成石墨烯薄膜所需的碳原子的方法与常规的方法不同，其优点在于产生合成石墨烯薄膜所需的碳原子的产生方法具有很大的选择性，对碳源材料没有特殊要求，对衬底也没有特殊的要求，既可以在具有催化功能的衬底，也可以在不具有催化性能的半导体或绝缘体衬底上直接合成石墨烯薄膜。所生长的石墨烯薄膜的层数、结构、尺寸容易控制；适合用于大规模地制造高性能的光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：1)采用能量粒子技术方法从含有碳元素的固态碳源、液态碳源、气态碳源材料或前述碳源中任意两种或两种以上混合碳源材料中产生活性碳原子或含碳活性基团；2)将产生的活性碳原子或含碳活性基团沉积在不具有催化活性的衬底或具有催化活性的衬底上形成石墨烯薄膜。
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