[发明专利]一种测定铁氰化镍不溶性和可溶性结构相对含量的方法无效

专利信息
申请号: 201110284760.6 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN102435663A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 郝晓刚;王忠德;杜晓;马旭莉;张忠林;刘世斌 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: G01N27/48 分类号: G01N27/48
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 戎文华
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种测定铁氰化镍不溶性和可溶性结构相对含量的方法是采用常规的三电极体系和恒电位仪,以沉积有电活性铁氰化镍半导体薄膜的膜电极为工作电极,分别在含钾盐溶液中测定其循环伏安曲线,利用不同结构铁氰化镍膜电极在氧化还原过程中产生的循环伏安曲线的不同峰形特征测定“不溶性”和“可溶性”结构的相对含量。本发明方法简单,操作快捷方便,可靠性好。
搜索关键词: 一种 测定 氰化 镍不溶性 可溶性 结构 相对 含量 方法
【主权项】:
一种测定铁氰化镍不溶性和可溶性结构相对含量的方法,包括恒电位仪和三电极体系,其所述方法在于以沉积有电活性铁氰化镍半导体薄膜的膜电极为工作电极,Pt片或Pt网为对电极,在含0.1~1.0 mol·L‑1的含钾电解液中测定一定扫描速度下的循环伏安曲线,并根据循环伏安曲线的峰形特征测定“不溶性”和“可溶性”结构的相对含量;具体步骤如下:(1)采用化学或电化学方法在膜电极基体表面沉积铁氰化镍半导体薄膜;(2)在含钾电解液中测定铁氰化镍膜电极的循环伏安曲线;(3)根据膜电极循环伏安曲线的低电位峰与高电位峰面积分别计算其“不溶性”和“可溶性”结构的相对含量。
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