[发明专利]电荷快速转移的四管有源像素及其制作方法

摘要

本发明属于微电子学的集成电路设计和集成电路工艺领域，涉及一种电荷快速转移的四管有源像素，包括制作在P型衬底上的光电二极管、传输管、复位管、源跟随器和选通管，光电二极管N区包括第一N型注入层和设置在其上掺杂浓度较低的第二N型注入层，两个N型注入层与传输管的多晶硅栅的版图位置存在交叠区；在交叠区和传输管的栅下区域设置有掺杂浓度不均衡的P型硅半导体注入层，其掺杂浓度在交叠区处最高；传输管的多晶硅的栅极的掺杂在交叠区一侧为N-掺杂，非交叠区一侧为N+掺杂；在光电二极管N区的非交叠区与硅表面之间设置一层钳位层。本发明同时提供一种上述有源像素的制作方法。本发明的像素能够获得快速无拖尾的电荷转移。

主权项

一种电荷快速转移的四管有源像素，包括制作在P型衬底上的光电二极管N区及其表面钳位层、传输管、复位管、源跟随器和选通管，其特征在于，所述的光电二极管N区包括第一N型注入层(8)和设置在其上的第二N型注入层(9)，第一注入层(8)比第二注入层(9)的掺杂浓度低，两个N型注入层的版图位置与传输管的多晶硅栅的版图位置存在交叠区；在交叠区和传输管的栅下区域设置有掺杂浓度不均衡的P型硅半导体注入层，该P型硅半导体注入层的掺杂浓度在交叠区处最高；传输管的多晶硅的栅极的掺杂在交叠区一侧(12)为N‑掺杂，非交叠区一侧(13)为N+掺杂；在光电二极管N区的非交叠区与硅表面之间设置一层作为通过P型注入形成的表面钳位层(3)。