[发明专利]多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法无效
| 申请号： | 201110279718.5 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102306706A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;于迪;高滨;陈冰;张飞飞;康晋锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO2材料的MIM结构的器件，在适当的操作方法下该器件可以产生多级电阻态，能够在一个单元内实现多位存储，且能提高存储器的存储密度。多阻态阻变存储器的阻变层采用基于SiO2的材料，具有工艺简单，与CMOS工艺兼容性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 多阻态阻变 存储器 利用 实现 多阻态 方法 | ||
【主权项】：
一种多阻态阻变存储器，其特征在于，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。
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