[发明专利]集成电路及其制造方法无效
| 申请号： | 201110277674.2 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102992258A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 丁天佑;林梦嘉;杨进盛 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路及其制造方法，该制造方法包括提供具有微机电系统区的基底，且基底的微机电系统区上方形成有第一内连线结构以及硬掩模层，其中硬掩模层是位于第一内连线结构上。接下来，以硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除硬掩模层所暴露出的部分第一内连线结构，进而形成微机电结构，其中微机电结构是暴露出微机电系统区的部分基底。之后，进行各向同性蚀刻，以移除微机电系统区的部分基底，而在微机电结构下方形成腔体。该腔体包括环状凹陷区以及中央区，且环状凹陷区环绕于中央区外围，而微机电结构悬于该腔体上方。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的制造方法，包括：提供基底，其中该基底具有微机电系统区，且该微机电系统区上形成有第一内连线结构以及硬掩模层，该硬掩模层位于该第一内连线结构上；以该硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除该硬掩模层所暴露出的部分该第一内连线结构，而形成微机电结构，且该微机电结构暴露出该微机电系统区的部分该基底；以及进行各向同性蚀刻工艺，以移除该微机电系统区的部分该基底，而在该微机电结构下方形成腔体，其中该腔体包括环状凹陷区以及中央区，该环状凹陷区环绕该中央区，而该微机电结构悬于该腔体上方。
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