[发明专利]一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法无效
| 申请号： | 201110276340.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102306683A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 余俊浒;李振;段慰;李德云;童鹏飞;徐新毅 | 申请（专利权）人： | 浙江嘉毅能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江省开化县*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法，该方法先采用酒精加松油醇将硅片清洗干净，然后将硅片放在质量百分比浓度在3～8％的盐酸中浸泡1～3小时，之后，使用去离子水将硅片表面残留的盐酸去除，最后，将带水的硅片放入酒精中浸泡脱水。采用本发明方法，可以减少丝网印刷返工片处理过程中硅片表面铝残留的问题，减少不合格品的产生，提高硅片的太阳能转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 丝网 印刷 返工 硅片 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法，其特征在于先采用酒精加松油醇将硅片清洗干净，然后将硅片放在质量百分比浓度在3～8％的盐酸中浸泡1～3小时，之后，使用去离子水将硅片表面残留的盐酸去除，最后，将带水的硅片放入酒精中浸泡脱水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
