[发明专利]一种电流镜像电路有效
| 申请号： | 201110276291.3 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102999081A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电流镜像电路，包括：NMOS管N1，其漏极通过恒流源Ib1接电路电源VDD，其栅极与其漏极短接，其栅极通过电容C2接地，其源极接地；NMOS管N2，其漏极通过开关S1接输出端OUTPUT，其栅极通过电容C1与其漏极短接，其源极接地；NMOS管N3，其漏极通过恒流源Ib2接电路电源VDD，其栅极接NMOS管N1和NMOS管N2的栅极，其源极接地；PMOS管P1，其源极接NMOS管N1的栅极，其栅极接NMOS管N3的漏极，其漏极接地。本发明的电流镜像电路当节点A电压超过一定值时，通过加速电路内部的反馈回路增加节点A的电流泄放能力实现快速稳定输出电流，能缩短输出稳定电流所需时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 电路 | ||
【主权项】：
一种电流镜像电路，其特征是，包括：NMOS管N1，其漏极通过恒流源Ib1接电路电源VDD，其栅极与其漏极短接，其栅极通过电容C2接地，其源极接地；NMOS管N2，其漏极通过开关S1接输出端OUTPUT，其栅极通过电容C1与其漏极短接，其源极接地；NMOS管N3，其漏极通过恒流源Ib2接电路电源VDD，其栅极接NMOS管N1和NMOS管N2的栅极，其源极接地；PMOS管P1，其源极接NMOS管N1的栅极，其栅极接NMOS管N3的漏极，其漏极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110276291.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锰及锰合金粉尘回收利用的方法
- 下一篇：一种基于太赫兹波伪热光源的成像装置
