[发明专利]一种铝栅半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种铝栅半导体器件及其制造方法，该方法，包括：向衬底内注入硼杂质，形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层；在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；在所述多晶硅层上生长金属层；在所述金属层上覆盖绝缘层。使用本发明实施例提供的铝栅半导体器件及其制造方法，通过使用多晶硅电阻代替原P阱型电阻，使得P阱的浓度满足铝栅半导体器件的功能参数要求，多晶硅电阻满足铝栅半导体器件的电阻要求。

主权项

一种铝栅半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底内的硼P阱区，所述硼P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；位于所述硼P阱区上表面的薄膜氧化层；位于所述薄膜氧化层上表面的多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；位于所述多晶硅层表面的金属层；位于所述金属层表面的绝缘层。