[发明专利]掩模及决定掩模图案的方法无效
申请号: | 201110274128.3 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102681331A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 吴俊伟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模及决定掩模图案的方法,该掩模包括一基材及多个矩形区域,其中该多个矩形区域的透光性与该基材的透光性不同。该多个矩形区域是以阵列方式排列在该基材上,且该多个矩形区域间的间隙不均一。由此,该掩模具有较佳的归一化影像对数斜率或聚焦深度。 | ||
搜索关键词: | 决定 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种制备阵列排列的圆形图案的掩模,其特征在于,包括:一基材;及多个矩形区域,其中该多个矩形区域的透光性与该基材的透光性不同,该多个矩形区域以阵列方式排列在该基材上,所述多个矩形区域包括一第一矩形区域、一第二矩形区域及一第三矩形区域,该第一矩形区域及该第二矩形区域间具有一第一间隙,该第一矩形区域及该第三矩形区域间具有一第二间隙,且该第一间隙与该第二间隙不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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