[发明专利]发光结构有效
| 申请号： | 201110269318.6 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102403330A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 沈建赋;陈昭兴;柯淙凯;洪详竣;许生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黄建富;刘欣茂;钟健凯 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光结构，其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间，并具有一第一侧壁及一较第一侧壁陡峭的第二侧壁；及一电性连接设置于第一侧壁之上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种发光结构，至少包含：第一单元；第二单元；沟槽，介于该第一单元及该第二单元之间，并具有第一侧壁及较该第一侧壁陡峭的第二侧壁；及电性连接，设置于该第一侧壁之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
