[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法无效
| 申请号： | 201110268669.5 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102424389A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 孔繁敏;王新元;安利明;孙湘航;司继良;陈建玉 | 申请（专利权）人： | 山西纳克太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 卢茂春 |
| 地址： | 030032 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法，采用高真空感应炉，金属硅原料为颗粒状或块料，金属硅原料的纯度为99％，其操作步骤是：（1）开启高真空感应炉的真空系统，使炉室内达到高真空状态；（2）将金属硅原料装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；（3）待第（2）步骤金属硅原料熔化后使金属硅液温度保持在1560～1600℃，需要保持多长时间 开启金属硅原料连续送料装置，投入剩余金属硅原料至炉内的石墨坩埚中进行连续脱磷；（4）脱磷后的金属硅熔体容积达到坩埚容积的2/3～3/4时，将金属硅熔体倾入同炉室内的另一坩埚中，自然冷却便得到脱磷多晶硅。本发明的生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 多晶 硅脱磷 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法，其特征是提纯设备采用高真空感应炉，粒径是5～100mm的金属硅为原料，金属硅原料的纯度为99％，即2N以上，其中B含量为5ppm，P含量为25ppm；其操作步骤是：（1）开启高真空感应炉的真空系统，依次开启前级机械泵及扩散泵使炉室内达到高真空状态；所述的高真空是指控制在1.2×10－3～2.4×10－3Pa；（2）将占石墨坩埚容量1/10的金属硅原料装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；所述的高频感应电源功率为200～280KW；（3）待第（2）步骤金属硅原料熔化后使金属硅液温度保持在1560～1600℃，需要保持12到20小时，开启金属硅原料连续送料装置，投入剩余金属硅原料至炉内的石墨坩埚中进行连续脱磷；（4）脱磷后的金属硅熔体容积达到坩埚容积的2/3～3/4时，将金属硅熔体倾入同炉室内的另一坩埚中，自然冷却5小时，便得到脱磷多晶硅。
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