[发明专利]单晶硅片太阳能电池制造方法及其刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110267103.0 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102403214A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 钱家锜;林育玫;高伟哲;江漪凌 | 申请（专利权）人： | 华康半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法及适用于单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，该刻蚀方法包含：利用一包含银离子的碱性刻蚀液，刻蚀一单晶或类单晶硅片的至少一表面，以使单晶或类单晶硅片的至少一表面制绒化。通过在碱性刻蚀液中的银离子能催化碱刻蚀反应速率的特性，来缩短单晶或类单晶硅片制绒化工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 制造 方法 及其 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包含：利用一碱性刻蚀液，刻蚀一单晶硅片的至少一表面，以使所述单晶硅片的所述至少一表面制绒化，其中所述碱性刻蚀液包含：一碱性化合物，其包含选自氢氧化钠及氢氧化钾所组成群组的至少一种化合物；一醇类化合物；及一用以释放贵金属离子的化合物，且所述贵金属离子包含选自银离子、金离子、铂离子及钯离子所组成群组的至少一种离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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