[发明专利]建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法无效
| 申请号： | 201110265314.0 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446743A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王智 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，包括：在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅，其中，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。发明一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，有效的利用改变氮化硅的厚度、填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度以及对氮化硅的刻蚀时间，来实现彻底去除基底层上多余的氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 建立 有源 氮化 应用 数据库 工艺 方法 | ||
【主权项】：
建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，包括：在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅,其特征在于，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
