[发明专利]一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅刻蚀方法，其中，对光刻胶的进行曝光，对未被光刻胶所覆盖的多晶硅进行第一次刻蚀，并且使被刻蚀的多晶硅变薄形成一层残留多晶硅层；接着对光刻胶进行消减工艺，使进行过消减工艺的光刻胶的面积小于多晶硅栅的面积；在经过光刻胶的消减工艺之后，再次对多晶硅栅进行刻蚀，在未被光刻胶所覆盖的多晶硅栅的部分在刻蚀下逐渐移除，直至先前所形成的残留多晶硅层被完全移除后停止刻蚀，并形成剩余未被光刻胶覆盖的多晶硅栅的厚度薄于被光刻胶所覆盖的多晶硅栅的厚度。本发明一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅刻蚀方法，有效的利用减薄了源极与漏极端邻近的多晶硅栅厚度，使电压加在多晶硅栅极上时，源极与漏极两端沟道中的纵向电场强度增大，从而提高了浮体效应存储单元的写入能力。

主权项

一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅刻蚀方法，包括：衬底上覆盖有氧埋层，并在氧埋层上设有漏极和源极，以及漏极与源极之间形成的器件沟道，在所述器件沟道、漏极和源极的上表面铺设有多晶硅，所述多晶硅的上表面覆盖有光刻胶，其特征在于，工艺方法：  步骤一，对光刻胶的进行曝光、显影，形成只覆盖器件栅极的多晶硅栅的光刻胶；  步骤二，对未被光刻胶所覆盖的多晶硅进行刻蚀，并且使被刻蚀的多晶硅变薄形成一层残留多晶硅层；  步骤三，对所述光刻胶进行消减工艺，使进行过消减工艺的光刻胶的面积小于多晶硅栅的面积；步骤四，在经过所述光刻胶的消减工艺之后，再次对多晶硅进行刻蚀，使未被光刻胶所覆盖的多晶硅栅在刻蚀下逐渐被移除，直至步骤二中所形成的残留多晶硅层被完全移除后停止刻蚀，并形成剩余未被光刻胶覆盖的多晶硅栅部分厚度薄于被光刻胶所覆盖的多晶硅栅厚度；  步骤五，在以上步骤之后进行轻掺杂注入、退火、侧墙形成、源极与漏极的重掺杂注入、退火、硅化物形成，以及互联工艺。