[发明专利]应用应力临近技术的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110264364.7 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983075B | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 孟晓莹;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种应用应力临近技术的半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极；在所述栅极侧壁上形成栅极侧墙，所述栅极侧墙包括氧化层和位于氧化层外的氮化层，所述氮化层的材质为掺硼氮化硅或掺磷氮化硅；在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区；在所述栅极、所述源极区及漏极区上形成金属硅化物层；利用等离子体刻蚀去除全部或部分所述氮化层；在所述半导体衬底上覆盖应力层。本发明所述半导体器件的制造方法，利用应力临近技术的基础上，保护金属硅化物层不被刻蚀损伤，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 应力 临近 技术 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应用应力临近技术的半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极；在所述栅极侧壁上形成栅极侧墙，所述栅极侧墙包括氧化层和位于氧化层侧壁的氮化层，所述氮化层的材质为掺硼氮化硅或掺磷氮化硅；在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区；在所述栅极、所述源极区及漏极区上形成金属硅化物层；利用等离子体刻蚀去除全部或部分所述氮化层，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括合成气体和氧气，所述氧气与所述合成气体的体积比为0.1∶1～2∶1，所述合成气体包括氮气和氢气，所述氢气占所述合成气体的体积比例为4％～20％，以保护金属硅化物层不被刻蚀损伤；在所述半导体衬底上覆盖应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
