[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201110263401.2 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102270668A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极;金属背电极位于晶硅的背面,黑硅层位于晶硅上,非晶硅薄膜位于黑硅层上,导电薄膜位于非晶硅薄膜上,金属栅电极位于导电薄膜上。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。本发明通过在黑硅结构上制备非晶硅薄膜,形成异质结太阳能电池,提高了太阳能电池的开路电压和短路电流,进而大大提高了太阳能电池的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极;所述金属背电极位于所述晶硅的背面,所述黑硅层位于所述晶硅上,所述非晶硅薄膜位于所述黑硅层上,所述导电薄膜位于所述非晶硅薄膜上,所述金属栅电极位于所述导电薄膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的