[发明专利]硅片方阵结构无效
| 申请号： | 201110262207.2 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102983187A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 姜海林 | 申请（专利权）人： | 扬州天华光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/045 | 分类号： | H01L31/045;G05D3/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225653 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片方阵结构。包括中间硅片方阵和设置在中间硅片四角的四个硅片方阵，中间硅片方阵设置在升降支架上，四角的四个硅片方阵通过弯折机构连接在中间硅片方阵上。本发明采用方阵结构，使用时可将各硅片方阵展开，实现供电；不使用时，可将各硅片方阵折叠，方便运输；同时本发明通过升降机构来调整硅片方阵的位置，以使其更好的接收太阳能；同时控制各硅片方阵运动的控制机构内设微调机构，以使各硅片方阵能正对太阳，提高发电效果。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 方阵 结构 | ||
【主权项】：
硅片方阵结构，其特征在于，包括中间硅片方阵和设置在中间硅片四角的四个硅片方阵，中间硅片方阵设置在升降支架上，四角的四个硅片方阵通过弯折机构连接在中间硅片方阵上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
