[发明专利]CMOS芯片信息清除电路无效
| 申请号： | 201110262077.2 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102981585A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 涂一新;熊金良;周海清 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/24 | 分类号： | G06F1/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种CMOS芯片信息清除电路，包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元，该第一二极管的阳极连接一第一备用电源，该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池连接，该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极，该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源，该第一、第二场效应管的源极接地，该第二二极管的阴极还通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极，该第四电阻与开关单元之间的节点与CMOS芯片的数据复位端连接。该CMOS芯片信息清除电路可方便、快速清除CMOS芯片信息。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 芯片 信息 清除 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS芯片信息清除电路，用于清除安装于主板上的CMOS芯片信息，该CMOS芯片信息清除电路包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元，该第一二极管的阳极连接一第一备用电源，该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池的正极连接，该电池的负极接地，该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极，该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源，该第一、第二场效应管的源极接地，该第二二极管的阴极还依次通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极，该第四电阻与开关单元之间的节点与CMOS芯片的数据复位端连接。
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