[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110261212.1 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102412226A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边雄一;山根彰;大石桥康雄 | 申请（专利权）人： | 安森美半导体贸易公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 英国百慕*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，对将半导体芯片载置于引线框架的半导体装置谋求提高耐电涌性能。在构成IC芯片(10A)的P型半导体基板(10)的表面上，配置N型埋层(11)、外延层(12)及P型半导体层(13)。在半导体基板(10)的背面上配置金属薄膜(30)，在该金属薄膜(30)和金属岛部(51)之间设置含有银粒子等的导电膏(40)。如果电涌施加在配置于半导体层(13)的表面的焊盘电极(16)上，则从半导体层(13)流入半导体基板(10)的电涌电流通过金属薄膜(30)流向金属岛部(51)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，是将半导体芯片贴装在引线框架的岛部上的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片具有：由第一导电型的半导体基板、配置在所述半导体基板的表面上的第二导电型的第一半导体层及配置在所述第一半导体层的表面上的第一导电型的第二半导体层构成的寄生双极晶体管，形成在所述第二半导体层的表面上的焊盘电极，以及与所述半导体基板的背面直接接触并覆盖该背面的金属薄膜，将导电膏配置在所述金属薄膜和所述岛部之间。
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