[发明专利]存储器装置和操作这些存储器装置的方法无效
| 申请号： | 201110258218.3 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102610263A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 简维志;李明修;陈彦儒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置和操作这些存储器装置的方法。本发明能够有效地使阵列中的存储器元件编程，同时也避免了施加不必要的高电压脉冲。此处所述的编程，包括施加较低的电压脉冲，来通过金属氧化物存储器元件，以建立所需的电阻状态，只有当施加较低的电压脉冲不足以对存储器元件进行编程运作，才施加较高电压脉冲。如此一来，在存储器元件上施加不必要高电压的问题可以避免。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 操作 这些 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于，包括：一金属氧化物存储器元件，可编程至多个电阻态；以及一控制器，其包括逻辑电路，该逻辑电路施加偏压安排至该金属氧化物存储器元件，其中该偏压安排包括：一第一偏压安排，用于在该多个电阻态中建立一第一电阻态，其中该第一偏压安排包括一第一电压脉冲；以及一第二偏压安排，用于当施加该第一偏压安排之后，而该金属氧化物存储器元件不是处于第一电阻态时，建立该第一电阻态，其中该第二偏压安排包括通过该金属氧化物存储器元件的一第二电压脉冲，而该第二电压脉冲的脉冲高度大于该第一电压脉冲的脉冲高度。
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