[发明专利]与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110257393.0 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969222A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法，该种制作方法在现有技术的制作工艺中，在硅纳米线上沉积覆盖了一层无定形碳层，利用无定形碳层的灰化特性和回流特性，对硅纳米线器件干法释放时进行灰化工艺，干法释放后的硅纳米线器件的硅纳米线没有侧墙，本发明的硅纳米线器件与现有硅纳米线器件制作方法得到的硅纳米线器件相比，接触面积大，受影响率大。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 兼容 纳米 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成硅纳米线、源/漏区，所述硅纳米线和所述源/漏区相连；沉积无定形碳层以覆盖所述硅纳米线和源/漏区；在无定形碳层上形成第一钝化层；采用标准CMOS工艺，在源/漏区上依次形成金属焊垫及连通至金属焊垫的接触孔；采用干法刻蚀工艺，去除硅纳米线上方的第一钝化层，停留在无定形碳层上；采用灰化工艺，去除硅纳米线上方的无定形碳层，暴露出硅纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
