[发明专利]一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法无效

专利信息
申请号: 201110257029.4 申请日: 2011-09-02
公开(公告)号: CN102417190A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 王润伟;李守贵;曾尚景 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C01B39/22 分类号: C01B39/22
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于沸石分子筛合成技术领域,具体涉及一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法,从而在含钠的硅铝酸盐体系中合成产物硅铝比(SiO2/Al2O3)低于2.1的纳米(100nm~500nm)NaX沸石。其首先是制备活化硅源,该活化硅源是向普通硅源中加入一定量的碱性铝源溶液,使普通硅源中高聚态硅酸根解聚为低聚态硅酸根,并与铝酸根结合生成有效的硅铝酸根前驱体和八面沸石微晶核;再通过控制分子筛制备过程的晶化条件与晶化温度,实现低硅NaX沸石的合成。
搜索关键词: 一种 应用 活化 制备 nax 方法
【主权项】:
一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法,其步骤如下:1)制备活化硅源:向硅源中加入碱性铝源溶液,调节各原料的用量,使反应混合物中各成份的摩尔比为Na2O∶Al2O3∶SiO2∶H2O=14~22∶1∶15~20∶250~400,然后将该反应体系陈化后得到活化硅源;2)合成低硅NaX沸石:向活化硅源中加入铝源溶液及非必需的碱或酸溶液,调节各原料的用量,使反应混合物中各成份的摩尔比为Na2O∶Al2O3∶SiO2∶H2O=1.8~5.0∶1∶2.1~2.5∶90~350;然后将反应混合物经晶化、过滤、洗涤和干燥步骤后得到低硅NaX沸石,其中SiO2与Al2O3的摩尔比低于2.10。
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