[发明专利]绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法

摘要

本发明提出一种绝缘体上硅硅片的制造方法，包括如下步骤：在第一硅片中形成富含氢离子的埋层；在第二硅片表面采用热氧化方法形成二氧化硅薄膜；采用去耦等离子体氮化方法将氮原子植入二氧化硅薄膜表面；第二硅片键合在第一硅片上方，键合过程中会在二氧化硅薄膜与第一硅片键合的界面处形成更多地悬挂键；对键合后的硅片热处理，使得第一硅片从富含氢离子的埋层处剥离形成绝缘体上硅硅片。由上述技术方案的实施，提供了一种可以在绝缘体上硅硅片上制备的提高数据保持性能的浮体效应存储器单元的制造方法，以增加二氧化硅薄膜与衬底之间的界面悬挂键，从而有效的俘获电子，提高PMOS结构的浮体效应存储器单元的数据保持性能。

主权项

一种绝缘体上硅硅片的制造方法，包括如下步骤：采用注入方法对第一硅片进行氢离子注入，在第一硅片中形成富含氢离子的埋层，并在埋层上下方分别形成第一衬底、第二衬底；在第二硅片表面采用热氧化方法形成二氧化硅薄膜；将氮原子植入到二氧化硅薄膜表面；第二硅片通过二氧化硅薄膜键合在第一硅片上方，形成悬挂键；对键合后的第一硅片和第二硅片热处理，使得第一硅片的第一衬底和第二衬底从富含氢离子的埋层处剥离，从而形成绝缘体上硅硅片，其由上至下依次包括第二硅片以及与第二硅片键合的第一硅片部分；在采用如上方法制备的绝缘体上硅硅片上制备后续工艺可以使用的绝缘体上硅硅片。