[发明专利]一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110255163.0 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102431235A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;郑赞;宋晨路;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/00;H01G4/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈昱彤 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法。在其基板的正表面上自下而上依次镀有ITO导电层、PT应力诱导层和PST薄膜，所述PT应力诱导层为钙钛矿相晶体结构且掺杂有杂质，所述杂质为其离子尺寸比Ti的离子尺寸大且其化合价比Ti的化合价小的金属离子。本发明制备工艺简单，所得复合薄膜的介电可调性具有优异的成分稳定性和温度稳定性，非常适用于介电可调薄膜的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 辅助 调制 可调 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜，其特征在于：在基板（1）的正表面上自下而上依次镀有ITO导电层（2）、PT应力诱导层（3）和PST薄膜（4），所述PT应力诱导层（3）为钙钛矿相晶体结构且掺杂有杂质，所述杂质为其离子尺寸比Ti的离子尺寸大且其化合价比Ti的化合价小的金属离子。
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