[发明专利]薄膜沉积装置有效
申请号: | 201110254713.7 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102383107A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 望月佳彦;殿原浩二 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种薄膜沉积装置,包括:在输送方向上输送基材的带的输送机、设置为面对基材的薄膜沉积电极、设置在薄膜沉积电极的相对侧处的对电极、薄膜沉积气体的气体供应装置和沿所述基材的平面方向设置为围绕薄膜沉积电极的接地屏蔽。薄膜沉积电极沿输送方向的上游端部比接地屏蔽沿所述基材的输送方向对应于薄膜沉积电极的上游端部的上游端部更靠近基材。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积装置,包括:输送装置,用于在输送方向上输送基材的带;薄膜沉积电极,被设置为面对所述基材;对电极,相对于所述基材设置在所述薄膜沉积电极的相对侧,并且与所述薄膜沉积电极形成电极对;气体供应装置,用于在所述薄膜沉积电极和所述基材之间供应薄膜沉积气体;和接地屏蔽,沿所述基材的平面方向设置为围绕所述薄膜沉积电极,其中,所述薄膜沉积电极的沿所述基材的输送方向的上游基材侧端部比所述接地屏蔽的沿所述基材的输送方向的上游基材侧端部更靠近所述基材,所述接地屏蔽的上游基材侧端部对应于所述薄膜沉积电极的沿所述基材的输送方向的上游基材侧端部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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