[发明专利]异质结压电式纳米发电机及其制造方法有效
申请号: | 201110253998.2 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102299252A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 邵铮铮;张学骜;王飞;王广;贾红辉;常胜利;秦石乔 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H01L41/113 | 分类号: | H01L41/113;H02N2/18;H01L41/22;B82Y40/00 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人: | 姜芳蕊;宁星耀 |
地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 异质结压电式纳米发电机及其制造方法,该异质结压电式纳米发电机包括半导体纳米棒阵列、半导体纳米凹槽阵列、导电衬底、封装层和引线,所述半导体纳米棒阵列垂直设于作为发电机下电极的导电衬底上,半导体纳米凹槽阵列与半导体纳米棒阵列形成嵌套结构,半导体纳米凹槽阵列为发电机的上电极,发电机上下电极分别由不同的引线接出;半导体纳米凹槽阵列和半导体纳米棒阵列外周设有封装层。本发明还包括所述异质结压电式纳米发电机制造方法。本发明异质结压电式纳米发电机结构简单、紧凑,使用寿命较长,制造工艺简单,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 异质结 压电 纳米 发电机 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
异质结压电式纳米发电机,其特征在于,包括半导体纳米棒阵列、半导体纳米凹槽阵列、导电衬底、封装层和引线,所述半导体纳米棒阵列垂直设于作为发电机下电极的导电衬底上,半导体纳米凹槽阵列与半导体纳米棒阵列形成嵌套结构,半导体纳米凹槽阵列为发电机的上电极,发电机上下电极分别由不同的引线接出;半导体纳米凹槽阵列和半导体纳米棒阵列外周设有封装层。
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