[发明专利]一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201110252396.5 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102417366A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 于晓东;王扬卫;王富耻;马壮;谭成文 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备技术，属于多孔陶瓷材料制备技术领域。包括聚碳硅烷和碳化硅粉体，以碳化硅粉体的总质量为100份计算，聚碳硅烷含量为2～10份；还可以包括碳粉，加入的碳粉的含量为5～15份；碳化硅粉体且由细碳化硅粉体、粗碳化硅粉体或细碳化硅粉体和粗碳化硅粉体的混合物组成。本发明可以在低温下制备出孔梯度碳化硅多孔陶瓷；可以制备出各种形状的多孔陶瓷；陶瓷先驱体具有较高的陶瓷产率；所制备的孔梯度碳化硅多孔陶瓷具有可控的三维连通孔，且孔分布具有可设计性；可以制备尺寸较大的孔梯度碳化硅多孔陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 碳化硅 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷，其特征在于：包括聚碳硅烷和碳化硅粉体，以碳化硅粉体的总质量为100份计算，聚碳硅烷含量为2～10份；碳化硅粉体由细碳化硅粉体、粗碳化硅粉体或细碳化硅粉体和粗碳化硅粉体的混合物组成。
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