[发明专利]一种相变存储器形成方法有效
| 申请号： | 201110252215.9 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102956819A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 朱南飞;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一底部电极，以及依次形成在所述第一底部电极表面的第一介质层、第二介质层、第三介质层；刻蚀所述第三介质层，形成暴露所述第二介质层的第四开口；在所述第四开口的侧壁形成第四介质层，所述第四介质层具有凹槽；沿所述凹槽刻蚀所述第二介质层，直至暴露所述第一介质层，形成第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述第一介质层，形成暴露第一底部电极的通孔，所述刻蚀工艺对所述第一介质层、第三介质层、第四介质层具有相同的刻蚀选择比；形成填充满所述通孔的第二底部电极。通过本发明可以提高相变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一底部电极，以及依次形成在所述第一底部电极表面的第一介质层、第二介质层、覆盖介质层；依次刻蚀所述覆盖介质层，第二介质层，形成暴露所述第一介质层的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述第一介质层，形成暴露第一底部电极的通孔，所述刻蚀工艺同时去除全部或者部分厚度的所述覆盖介质层；形成填充满所述通孔的导电层，并对所述导电层进行平坦化处理，直至暴露所述第一介质层，形成第二底部电极。
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