[发明专利]一种新型超浅结晶体硅太阳能电池

摘要

本发明公开了一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其结构为前电极、钝化层、绒面结构、PN结、背电极，其中前电极设为透明导电极薄膜结构，其PN结设为超浅结，其背电极设为厚度在0.5-2.0μm之间的铝背电场。本发明同时提供了一种制法，其步骤主要包括激光制绒，激光掺杂，镀钝化膜及透明导电极，激光制背电极等。所述激光制绒包括以激光在晶体硅太阳能电池的受光面制备绒面结构和以化学溶液去除激光损伤层。所述激光掺杂为采用在真空环境中通入掺杂工艺气体然后以激光分照射待掺杂晶体硅片表面形成超浅结。所述镀透明导电极指以透明导电极代替丝印银铝前电极。所述激光制背电极工序包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺。

主权项

一种新型超浅结晶体硅太阳能电池制法，主要包括激光制绒，激光掺杂，镀钝化膜及透明导电极，激光制背电极等，其特征在于，所述激光制绒包括激光制备绒面和化学溶液去除激光损伤层两个步骤，以制备出尺寸尽量精确符合光学原理的绒面结构；所述激光掺杂是在掺杂气体气氛下以激光照射晶体硅表面以形成超浅结；所述镀透明导电极是以真空镀透明导电极薄膜的方式形成前电极；所述激光制背电极包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺，以免接触的方式制备其背电场。