[发明专利]用天然硫铁矿制备的半导体薄膜原料浆体无效
申请号: | 201110246320.1 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN102306665A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 陶长元;丁莉峰;范兴;刘作华;杜军;孙大贵;刘仁龙;文明友;童贤清 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;B01J27/043 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所 50213 | 代理人: | 袁庆民 |
地址: | 400044 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 用天然硫铁矿制备的半导体薄膜原料浆体。该原料浆体按如下步骤制备而成:①将铁含量、硫含量以及粒径合适的天然硫铁矿微粉,与有机精选剂混合并充分搅拌、加热到,得一固液混合物;②将该固液混合物经离心或过滤工艺除去易沉降性杂质,即得为半导体薄膜原料的硫化铁浆体。其中,有机精选剂为颗粒活化剂与有机溶剂的混合物,颗粒活化剂为黄药、黑药、脂肪胺和苯磺酸类中的一种或二种的混合物。至少省去了现有技术须先把作为半导体薄膜的原料从矿物中分解出来、并提纯的工艺过程,并能工艺相对简单的方法来制备硫化铁薄膜和氧化铁薄膜。具有降低制备半导体薄膜总成本的有益效果。另外,制备本发明硫化铁浆体本身,还具有工艺简单、操作方便的优点。 | ||
搜索关键词: | 天然 硫铁矿 制备 半导体 薄膜 原料 | ||
【主权项】:
用天然硫铁矿制备的半导体薄膜原料浆体,其特征在于,该半导体薄膜原料浆体按如下步骤制备而成:① 将铁的质量含量>32%、硫的质量含量>20%、其粒径为10nm~10μm的天然硫铁矿微粉,与有机精选剂混合并充分搅拌、同时加热到20~150℃,得一固液混合物;其中,天然硫铁矿微粉∶有机精选剂=0.05~100.0g/L;所述有机精选剂为颗粒活化剂与有机溶剂的混合物,其中,颗粒活化剂∶有机溶剂=0.5~20.0g/L;该有机精选剂中的所述颗粒活化剂为黄药类颗粒活化剂、黑药类颗粒活化剂、脂肪胺类颗粒活化剂和苯磺酸类颗粒活化剂中的一种或二种的混合物,该有机精选剂中的所述有机溶剂为碳原子数为5~16的烃、碳原子数为1~16的一卤代烃及多卤代烃、烷基碳原子数为0~4的苯及一卤代或多卤代苯、碳原子数为2~8的腈、碳原子数为1~8的醇、碳原子数为3~8的酮或碳原子数为2~10的醚;② 将步骤①所得固液混合物经离心或过滤工艺除去易沉降性杂质,即得为半导体薄膜原料的硫化铁浆体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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