[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110243428.5 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102956535A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 邵群;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邹姗姗 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除仅所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。本公开实施例的方法通过去除宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层，来提高宽线区沟槽内第二绝缘层的淀积率，由此减小了淀积的第二绝缘层在宽线区与密线区上的差异，从而减轻或者消除化学机械平坦工艺中出现的碟形缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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