[发明专利]一种碲锌镉/单晶硅叠层太阳能电池无效
申请号: | 201110243151.6 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN102290479A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 曹鸿;王善力;邬云华;潘建亮;张传军;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/05;H01L27/142 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种碲锌镉/单晶硅叠层太阳能电池,包括:顶部可吸收偏向短波的高能太阳光的碲锌镉太阳能电池和底部可吸收偏向长波的低能太阳光的单晶硅太阳能电池。叠合时采用顶部碲锌镉太阳能电池的背电极和底部单晶硅太阳能电池的表面电极完全重合,可使单晶硅太阳能电池的受光面可充分吸收从顶部电池透过的光子。这种碲锌镉/单晶硅叠层太阳能电池结构大大扩展了对太阳光谱的吸收范围,最大程度地提高了太阳光能的利用,提高了光电转换效率,降低了光能损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲锌镉 单晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种碲锌镉/单晶硅叠层太阳能电池,其特征在于,包括:一位于顶部的吸收偏向短波的高能太阳光的碲锌镉太阳能电池,以及一位于底部的吸收偏向长波的低能太阳光的单晶硅太阳能电池;所述的碲锌镉太阳能电池,包括:玻璃衬底(1),在玻璃衬底上依次沉积有透明导电氧化物前电极层(2)、n型CdS窗口层(3)、p型碲锌镉吸收层(4)、透明导电层(5)、背电极(6);所述的单晶硅太阳能电池由在单晶硅薄片上通过气相扩散形成的pn结,在pn结的表面和背面通过印刷形成的表面电极(7)和背面电极(10)组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的