[发明专利]一种高压驱动电路的隔离结构

摘要

一种高压驱动电路的隔离结构，包括：P型衬底，P型外延层，在P型外延层上有高压区、低压区以及高低压结终端区，在高低压结终端区与低压区之间为第一P型结隔离区，在高压区和低压区之间存在高压绝缘栅场效应管，其两侧以及它和高侧间的隔离结构为第二P型结隔离区，第二P型结隔离区的第二P型阱区浓度通过其中N型阱区的注入变化来达到从高压区到低压区逐渐降低，高压绝缘栅场效应管和高侧之间的第二P型结隔离区仅由第二P型阱区组成，第二P型结隔离区的设计是基于不同高压下P型结隔离区的完全耗尽以及开态下P型结隔离区的非穿通。本发明解决了P型结隔离结构不完全耗尽造成的P型结隔离结构发生局部击穿问题，使被隔离区与周围有效隔离。

主权项

一种高压驱动电路的隔离结构，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有P型外延层（2），在P型外延层（2）上设有低压区（130）和高压区（110），在低压区（130）与高压区（110）之间设有高低压结终端区（120），在高低压结终端区（120）与低压区（130）之间为第一P型结隔离区（140a），所述的第一P型结隔离区（140a）由P型埋层（4）及第一P型阱区（71）组成，在第一P型结隔离区（140a）的内部区域设有第二P型结隔离区（140b）且第二P型结隔离区（140b）与第一P型结隔离区（140a）围合形成被隔离区域，在被隔离区域内设有利用高低压结终端区（120）作为漂移区的高压绝缘栅场效应管（150），所述高压区（110）的一部分位于被隔离区域内，位于被隔离区域内的部分高压区（110）包括设在P型衬底（1）内的第一深N型阱（31）和设在P型外延层（2）内的第一N 型阱区（61），且N 型阱区（61）位于第一深N型阱（31）的上表面上，位于被隔离区域外的部分高压区（110）包括设在P型衬底（1）内的第二深N型阱（32）和设在P型外延层（2）内的第二N 型阱区（62），且N 型阱区（62）位于第二深N型阱（32）的上表面上，所述的第一深N型阱（31）向高低压结终端区（120）延伸并进入高低压结终端区（120），所述的第二深N型阱（32）向高低压结终端区（120）延伸并进入高低压结终端区（120），其特征在于，第二P型结隔离区（140b）为设在P型外延层（2）内的第二P型阱区（72）且第二P型阱区（72）设在P型衬底（1）表面上，在位于高低压结终端区（120）区域内的第二P型结隔离区（140b）部分区域的第二P型阱区（72）被N型阱区（5）替代，且N型阱区（5）位于P型外延（2）上并被第二P型阱区（72）包围，第二P型结隔离区（140b）的单位面积中的N型阱区（5）的注入面积沿高压区（110）指向低压区（130）的方向逐渐增大。