[发明专利]一种消除表面静电的流体压紧封装装置及封装方法有效
| 申请号： | 201110241760.8 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102956832A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 韦学志;陈勇辉 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除表面静电的流体压紧封装装置，包括：封装结构，所述封装结构具有第一基板，第二基板，及设置在所述第一基板和所述第二基板之间用于形成至少一腔室的熔料；辐射源，用于加热所述熔料，使所述熔料与所述第一基板和所述第二基板的连接面处结合，使所述腔室形成气密封装结构；流体源，所述流体源提供流体束，所述流体束作用于所述第一基板，用于压紧所述第一基板与所述第二基板之间的所述熔料；其特征在于，所述流体源内还包括离子发生装置，用于激发所述流体束以产生正负离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 表面 静电 流体 压紧 封装 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种消除表面静电的流体压紧封装装置，包括：封装结构，所述封装结构具有第一基板，第二基板，及设置在所述第一基板和所述第二基板之间用于形成至少一腔室的熔料；辐射源，用于加热所述熔料，使所述熔料与所述第一基板和所述第二基板的连接面处结合，使所述腔室形成气密封装结构；流体源，所述流体源提供流体束，所述流体束作用于所述第一基板，用于压紧所述第一基板与所述第二基板之间的所述熔料；其特征在于，所述流体源内还包括离子发生装置，用于激发所述流体束以产生正负离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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