[发明专利]锗硅薄膜监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法有效
| 申请号： | 201110240913.7 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102954903A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N33/00;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅薄膜监控片的制备方法，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，即为锗硅薄膜监控片。该制备方法简单，制造成本低。本发明还公开了一种采用锗硅薄膜监控片监控锗硅薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 监控 制备 方法 采用 该片 进行 | ||
【主权项】：
一种锗硅薄膜监控片的制备方法，其特征在于，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，即为锗硅薄膜监控片。
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