[发明专利]一种纳米复合超硬薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110237494.1 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102277556A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张玉娟;杨莹泽;翟玉浩;张平余 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳;郭丽娜 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜材料制备领域，具体涉及一种纳米复合超硬薄膜的制备方法，该方法先采用磁过滤电弧离子镀的方式向基底上沉积MeN形成50纳米厚的MeN薄膜作为过渡层，然后继续采用磁过滤电弧离子镀的方式沉积MeN，同时采用离子束溅射的方式向基底上共沉积Si3N4，共沉积过程中对基底施加-100V直流负偏压，从而制得纳米晶MeN/非晶Si3N4纳米复合超硬薄膜。本发明将磁过滤电弧离子镀与离子束溅射相结合，利用二者的工作气压相近的特点，相互弥补不足，获得膜基结合力良好纳米晶MeN/非晶Si3N4纳米复合超硬薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米复合超硬薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米复合超硬薄膜为纳米晶MeN/非晶 Si3N4纳米复合超硬薄膜，其中Me为Ti、Cr、Zr、V，制备步骤包括：（1）将基底置入真空室内，真空抽至5.0×10‑4Pa；（2）采用磁过滤电弧离子镀的方式向基底上沉积MeN形成50‑100纳米厚的MeN薄膜作为过渡层；（3）继续采用磁过滤电弧离子镀的方式沉积MeN，同时采用离子束溅射的方式向基底上共沉积Si3N4，共沉积过程中对基底施加‑100V直流负偏压，从而制得纳米晶MeN/非晶 Si3N4纳米复合超硬薄膜。
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