[发明专利]一种降低通孔电阻的金属互联结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110235264.1 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437142A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 胡友存;傅昶;张亮;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种降低通孔电阻的金属互联结构，包括衬底硅片上依次覆盖有阻挡层和氧化层，在阻挡层和氧化层中设有通孔，通孔与衬底硅片所形成的并接触有源区的金属硅化物层所接触；通孔底部和侧壁设有金属阻挡层，在底部和侧壁设有金属阻挡层的通孔中设有钨栓，钨栓内设有孔，在该孔的底部和侧壁设有铜种子层，铜种子层与钨栓之间还有第二阻挡层；在氧化层上还依次设有低K阻挡层和低K介质层，在低K阻挡层和低K介质层中设有刻蚀槽，刻蚀槽底部暴露出氧化层中的通孔，刻蚀孔底部和侧壁设有铜阻挡层，铜阻挡层与的铜种子层、第二阻挡层、钨栓和金属阻挡层相接触，底部和侧壁设有铜阻挡层的刻蚀槽中设有铜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电阻 金属 联结 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种降低通孔电阻的金属互联结构，其特征在于，包括：衬底硅片上依次覆盖有阻挡层和氧化层，在阻挡层和氧化层中设有通孔，所述通孔与衬底硅片所形成的并接触有源区的金属硅化物层所接触；所述通孔底部和侧壁设有金属阻挡层，在底部和侧壁设有金属阻挡层的通孔中设有钨栓，所述钨栓内设有孔，在该孔的底部和侧壁设有铜种子层，所述铜种子层与钨栓之间还有第二阻挡层；在所述氧化层上还依次设有低K阻挡层和低K介质层，在低K阻挡层和低K介质层中设有刻蚀槽，所述刻蚀槽底部暴露出氧化层中的通孔，所述刻蚀孔底部和侧壁设有铜阻挡层，铜阻挡层与所述的铜种子层、第二阻挡层、钨栓和金属阻挡层相接触，所述底部和侧壁设有铜阻挡层的刻蚀槽中设有铜。
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