[发明专利]一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法

摘要

本发明提供了一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法，利用O3/TEOS反应生成的LTO（低温氧化膜）的生长对硅片表面的状态有很强选择性的现象，在不同类型多晶硅表面生长不同厚度的绝缘氧化膜，将之应用到目前PIP电容工艺中，就可以得到2种不同绝缘层厚度的电容结构，提高了设计的灵活性。

主权项

一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法，在覆盖有二氧化硅的硅基板中分别形成有PMOS的有源区和NMOS的有源区，其特征在于，步骤包括：步骤1，在硅基板二氧化硅上成长一层多晶硅，多晶硅分为厚膜电容区、薄膜电容区、位于PMOS的有源区之上的PMOS栅极预制备区、和位于NMOS的有源区之上的NMOS栅极预制备区；步骤2，在所述多晶硅上涂覆一层遮挡层，并对遮挡层进行刻蚀，在所述遮挡层中形成暴露出薄膜电容区和NMOS栅极预制备区的开口；步骤3，通过所述开口向所述薄膜电容区和NMOS栅极预制备区内注入掺杂离子，然后退火处理；步骤4，移除遮挡层，并在所述多晶硅上生成低温氧化物层，其中，覆盖在厚膜电容区和NMOS栅极预制备区上的低温氧化物层区域的厚度大于覆盖在薄膜电容区和NMOS栅极预制备区上的低温氧化物层；步骤5，在所述低温氧化物层上沉积一层金属硅化物，并对金属硅化物进行刻蚀，仅保留部分位于覆盖在厚膜电容区上的低温氧化物层之上的第一金属硅化物，和保留部分位于覆盖在薄膜电容区上的低温氧化物层之上的第二金属硅化物；然后，刻蚀去除露出的低温氧化物层；步骤6，刻蚀露出的多晶硅，保留部分PMOS栅极预制备区多晶硅、NMOS栅极预制备区，分别形成PMOS的多晶硅栅极、NMOS的多晶硅栅极；以及保留第一金属硅化物下方的厚膜电容区多晶硅，形成由第一金属硅化物、厚膜电容区多晶硅及二者之间的低温氧化物层构成的厚膜电容；保留第二金属硅化物下方的薄膜电容区多晶硅，形成由第二金属硅化物、薄膜电容区多晶硅及二者之间的低温氧化物层构成的薄膜电容。