[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110234503.1 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102938416A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/26;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于衬底中的源漏区、位于沟道区上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构两侧的侧墙、位于侧墙两侧的源漏区上的提升源漏、位于提升源漏上的源漏接触金属硅化物，其特征在于：源漏区与提升源漏之间还具有外延生长的超薄金属硅化物。依照本发明的新型MOSFET器件及其制造方法，由于在提升源漏下方有外延生长的超薄金属硅化物，使其直接与沟道区接触，避免出现侧墙与源漏之间的高阻区，从而进一步降低了源漏寄生电阻和接触电阻，大幅提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于衬底中的源漏区、位于沟道区上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构两侧的侧墙、位于侧墙两侧的源漏区上的提升源漏、位于提升源漏上的源漏接触金属硅化物，其特征在于：源漏区与提升源漏之间还具有外延生长的超薄金属硅化物。
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