[发明专利]电泵浦的半导体消逝激光器无效
| 申请号： | 201110234336.0 | 申请日： | 2007-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102306901A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | J·E·鲍尔斯;O·科亨;A·W·丰;R·琼斯;M·J·帕尼恰;H·朴 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司;加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电泵浦混合消逝激光器的装置和方法。例如，装置包括置于硅中的光波导。有源半导体材料置于所述光波导上，在所述光波导和所述有源半导体材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述有源半导体材料均交叠。穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。 | ||
| 搜索关键词： | 电泵浦 半导体 消逝 激光器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：置于硅中的光波导；置于所述光波导之上的包括N III V层的增益介质材料，在所述光波导和所述增益介质材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述增益介质材料均交叠；以及整个限定在所述增益介质材料内的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述增益介质材料的电泵浦、响应于沿所述电流注入路径的电流注入而产生光。
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