[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110233890.7 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102938378A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;王新鹏;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 颜镝 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，接触刻蚀终止层可以包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以第一氮化硅层作为有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以氧化硅层作为有源区的阻挡层去除刻蚀有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的第一氮化硅层；以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。通过接触刻蚀终止层的阻挡，能够在去除金属栅极上的金属氧化物时，减少有源区表面材料的损耗，以提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，所述半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，所述接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以所述第一氮化硅层作为所述有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿所述第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以所述氧化硅层作为所述有源区的阻挡层去除刻蚀所述有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的所述第一氮化硅层；以所述第二氮化硅层作为所述有源区的阻挡层进行去除所述金属栅极上的金属氧化物的工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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