[发明专利]磁隧道结、其制作方法及含磁隧道结的存储单元有效
| 申请号： | 201110233379.7 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102938257A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 季明华;韩秀峰;于国强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁隧道结，包括材质为非磁性材料的穿隧绝缘层、设置于所述穿隧绝缘层一侧的固定铁磁层、设置于所述穿隧绝缘层另一侧的自由铁磁层；所述自由铁磁层沿各层排列方向伸长的边线、所述边线与穿隧绝缘层形成的凸角分别与所述固定铁磁层沿各层排列方向伸长的边线、固定铁磁层的所述边线与穿隧绝缘层形成的凸角呈错位设置。本发明还提供了此磁隧道结的制作方法及含磁隧道结的存储单元。采用本发明的磁隧道结及含此磁隧道结的存储单元，可以避免磁隧道结发生泄漏电流、绝缘层低击穿电压等问题，以及避免这些问题导致的磁隧道结过早被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 制作方法 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种磁隧道结，包括：穿隧绝缘层，所述穿隧绝缘层材质为非磁性材料；固定铁磁层，设置于所述穿隧绝缘层的一侧；自由铁磁层，设置于所述穿隧绝缘层的另一侧；其特征在于，所述自由铁磁层沿各层排列方向伸长的边线、所述边线与穿隧绝缘层形成的凸角分别与所述固定铁磁层沿各层排列方向伸长的边线、固定铁磁层的所述边线与穿隧绝缘层形成的凸角呈错位设置。
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