[发明专利]后栅极两晶体管零电容动态随机存储器的制备方法

摘要

本发明后栅极两晶体管零电容动态随机存储器的制备方法解决了现有技术中工艺缺乏可制造性的问题，提出一种更具可制造性设计（DFM，DesignforManufacturability）的绝缘体上硅后栅极两晶体管零电容动态随机存储器（SOIGate-last2TZ-RAM）的制备方法，适用于45nm以下一代的HKMG（高介电常数氧化层+金属栅）后栅（Gate-last）工艺的集成电路制备中。

主权项

一种后栅极两晶体管零电容动态随机存储器的制备方法，在一硅基板中形成有通过后栅极工艺制成的包含一第一晶体管和一第二晶体管的后栅极高介电常数双MOS结构，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：进行湿法刻蚀，将第一晶体管器件的第一晶体管栅槽和第二晶体管器件的第二晶体管栅槽内的样本栅去除；    步骤b：在第一晶体管和第二晶体管上旋涂光刻胶，将第一晶体管栅槽和第二晶体管栅槽填充；    步骤c：进行光刻，去除第一晶体管器件上覆盖的光刻胶，并去除第一晶体管栅槽内的光刻胶；    步骤d：第一晶体管栅槽和第二晶体管栅槽内均由下到上依次具有一高介电层和一金属氧化物介电层，分别进行两次倾斜方向不同的角度倾斜离子注入，以改变第一晶体管栅槽内的金属氧化物介电层靠近第一晶体管器件源极的一端的功函数，进而使得第一晶体管的沟道区域中靠近源区的区域在不加栅压的情况下反型为与源极相同的掺杂类型；且改变第一晶体管栅槽内的金属氧化物介电层的靠近漏极的一端的功函数，进而使得第一晶体管的漏区的横向扩散至第一晶体管栅槽下方的扩散区域在不加栅压的情况下反型为与第一晶体管的阱区相同的掺杂类型。