[发明专利]增强应力记忆技术效果的方法有效
| 申请号： | 201110232262.7 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102437119A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;颜丙勇;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明增强应力记忆技术效果的方法浅沟隔离和阱注入之后，用非晶硅栅取代传统的多晶硅栅，然后进行外延注入，形成侧墙，进行源漏注入，淀积一层氮化硅，使用准分子激光照射与尖峰退火，产生更大的应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，去除氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 应力 记忆 技术 效果 方法 | ||
【主权项】：
一种增强应力记忆技术效果的方法，在一衬底上形成至少一浅沟槽隔离，并在衬底上进行阱注入，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上形成至少一非晶硅栅极； 进行外延注入；在非晶栅极的两个形成器件侧墙，并进行源/漏注入； 在衬底上淀积一层氮化硅层，将衬底上的浅沟槽区域、非晶栅极及覆盖在非晶栅极侧壁的器件侧墙覆盖； 使用准分子激光照射与尖峰退火，产生应力记忆技术所需要的应力并留在栅内； 将覆盖在衬底上的氮化硅层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
